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意法半导体发 布了采用超结（Super-Junction，简称SJ）构造的+1500V耐压的功率MOSFET“MDmesh K5系列”（英文发布资料）。该公司称，“这是+1500V耐压的超结功率MOSFET首次实现实用化”。新产品的特点是，单位面积的导通电阻和总栅极电 荷均为业界最低。因此，导通电阻与栅极电荷的乘积，也就是FOM（品质因数）为业界最高。

新产品主要用于服务器、焊接机、工厂自动化设备等配备的开关电源（AC-DC转换器）等。据称支持多种电源电路拓扑，例如准谐振转换器、采用有源钳位电路的反激式转换器、LLC共振型半桥接转换器等。支持的输出电力范围约为75～230W。转换效率最大为96％。

意法半导体首先推出了该系列的2款产品，分别是最大漏电流为7A的“STW12N150K5” 和最大漏电流为14A的“STW21N150K5”，均为n沟道产品。STW12N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为1.9Ω（最大 值），总栅极电荷为47nC（标称值），输入电容为1360pF（标称值），输出电容为80pF（标称值），反馈电容为0.7pF（标称值），栅极电阻为 3Ω（标称值）。STW21N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为0.9Ω（最大值），总栅极电荷为89nC（标称值），输入电容为 3145pF（标称值），输出电容为172pF（标称值），反馈电容为1pF（标称值），栅极电阻为2.4Ω（标称值）。两款产品的封装均采用TO- 247。工作结温范围为-55～+150℃。批量购买1000个时的美国参考单价均为14美元。