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研调:明年H1面板价格料续弱;太阳能业呈量升价跌

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2015-10-19 13:54 | 浏览次数 : 295

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TrendForce15日举办集邦拓墣2016年科技产业大预测研讨会,首度集结旗下DRAMeXchange、WitsView、 LEDinside、EnergyTrend及拓墣产业研究所剖析明(2016)年光电半导体产业预测,包括预估明年半导体产业将面临转型及调整,物联网 扮演整合关键角色;需求端恐未见起色,明年DRAM价格持续下跌;明年NAND Flash供需将面临挑战,需求位元成长率仅44%;LED市场产值年成长仅2%,明年产业将迈入整并潮;明年太阳能市场量升价跌,厂商策略成关键;面板 产能供过于求,明年上半年前价格续弱。

今年半导体产业历经了量与质的变化,从去年的7.2%成长,迅速下滑至今年的仅2-3%微幅成长。拓墣表示,明年半导体将要面对物联网促成的产品特 色与生产周期影响,厂商除了提供差异化的产品以推升竞争力外,更需藉自身的差异化转型以应对下一波的浪潮。物联网将改变产品生产周期,并使部分厂商的产品 价值因使用情境的不同而受压缩,但也衍生出新的价值区块等候填补,包括新的策略地位、及生产工具等。转型与调整将是2016年半导体业的首要课题。

DRAM产业进入寡占格局后,三星、SK海力士与美光的竞争仍未停歇,今年受需求端不佳影响,标准型记忆体价格下跌至今逼近40%;伺服器记忆体也 在下半年跌幅加剧;仅行动式记忆体在智慧型手机带动下仍有成长。展望明年,三星为保有技术领先并与竞争者保有一定差距,亦决议导入18nm的生产,对后进 者压力不小;而SK海力士与美光都有计画跟进。DRAMeXchange认为,若明年需求端不能有效消化新增的产出,DRAM颗粒价格走势将比现今更加严 峻。

明年对NAND Flash产业是充满挑战与机会的一年。DRAMeXchange指出,综观供需面,NAND Flash先进制程转进持续进行,3D-NAND Flash的开发进度则开始加速,预期年度供给位元产出成长率将提升至50%;然而受整体经济环境影响,各项OEM终端需求与记忆卡/随身碟等零售市场展 望保守,年度需求位元成长率仅达44%,明年整体NAND Flash格局将呈现明显的供过于求。

LED方面,在单价大幅度下跌影响下,LEDinside预估全球高亮度LED市场产值在今年仅达145.2亿美元,年增2%;明年LED产业将进入淘汰与整并阶段,不具竞争力的LED厂商逐渐退出市场后,产业秩序将逐渐重整。

太阳能方面, EnergyTrend预期,明年整体需求将向上推升近10%,达58GW。而中美两国的支撑有望使需求持续火热,明年上半年将淡季不淡。最大需求国中国 占全球总需求的比重仍逐步提升;美国则将在2016年底之际大砍ITC补助政策,促使各厂赶在补贴结束前持续推升出货量,预期明年将迎向安装量高峰。然 而,EnergyTrend认为,由于各国大厂扩张产能版图动作仍不断,在供过于求难以改善下,恐让明年太阳能整体供应链价格压力不减。

至于面板方面,WitsView指出,今年监视器、笔电及平板电脑皆面临平均10%的年出货衰退,液晶电视出货也几乎零成长,明年虽希冀透过HDR 电视、广视角监视器、高解析笔电、大尺寸平板电脑等规格的推广,力创更强的消费诱因,但各应用产品渗透率逐步饱和,因此低迷的需求氛围仍挥之不去。 WitsView指出,大、小尺寸面板产能扩张动作仍频,加上面板厂为巩固市占,对产能调节一事保守对应,使供过于求的威胁逐步升高,若产能持续缺乏人为 调整,供给过剩比重自今年第四季起到明年上半年间每季都将维持在9%以上,弱势的面板价格恐将延续。

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