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凌力尔特(Linear Technology)发表具备双组MOSFET驱动器的能源监测热插拔(Hot Swap)控制器LTC4282，可致能100A和更高电流的电路板设计。LTC4282透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容，避免产生火花，连 接器损坏和系统故障，确保从运作中的2.9~33V背板的安全电路板插拔。

高电流热插拔电路板采用并联的MOSFET，以减少电压降，但所有这些MOSFET都需要大量的安全区(SOA)以穿越过流故障。透过控制两个匹配的电流 限制路径，LTC4282减半每个路径的SOA的要求，以减少在高电流应用(大于50A)中的MOSFET成本。进一步的成本节约来自分阶段启动的配置， 其于其中一个路径采用低SOA MOSFET，另一条路径则采用低RDS(ON) MOSFET。LTC4282提供热插拔和监测的坚固精小的解决方案，尤其是在伺服器、网路路由器和交换器，和企业数据储存系统中的高功率的电路板。

在电路板电源闸极上，LTC4282的正负0.7%精度类比数位转换器(ADC)会透过一个I2C/SMBus数位介面报告板上电压、电流、功率及能耗。在过电流条件下，LTC4282会返折其2%精准电流限制，针对可调节的超时时间保持恒定的MOSFET的功耗。

数位配置的电流限制允许当负载变化时的动态调整，并简化对于低值感测电阻的选择。监视电气参数的最大值和最小值可被记录，并在超过8位元门槛时提出警报。 内部EEPROM提供针对暂存器配置和故障日志数据的非挥发性储存。为防止电路板的灾难性破坏，MOSFET会在连续异常时持续监控，例如低闸极电压和汲 极-源极短路或大压降。